MOSFET Infineon IRFH5250DTRPBF, VDSS 25 V, ID 100 A, PQFN 5 x 6 de 8 pines

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Código RS:
130-0979
Nº ref. fabric.:
IRFH5250DTRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

100 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

25 V

Tipo de Encapsulado

PQFN 5 x 6

Serie

HEXFET

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2,2 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.35V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.35V

Disipación de Potencia Máxima

156 W

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Longitud

6mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Carga Típica de Puerta @ Vgs

83 nC a 10 V

Ancho

5mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1V

Altura

0.85mm

MOSFET de potencia de canal N, 12 V a 25 V, Infineon


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