MOSFET, Tipo N-Canal Infineon ISK024NE2LM5, VDSS 25 V, ID 55 A, PQFN de 6 pines

Código RS:: 240-6377
Nº ref. fabric.:: ISK024NE2LM5
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon ISK024NE2LM5, VDSS 25 V, ID 55 A, PQFN de 6 pines

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Código RS:: 240-6377
Nº ref. fabric.:: ISK024NE2LM5
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	55A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	25V
	Serie	ISK
	Encapsulado	PQFN
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	2.4mΩ
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión directa Vf	0.81V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	30 V
	Disipación de potencia máxima Pd	171W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	80nC
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	RoHS
	Estándar de automoción	AEC-Q101

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 55A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 25V
	Serie ISK
	Encapsulado PQFN
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.4mΩ
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión directa Vf 0.81V
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V
	Disipación de potencia máxima Pd 171W
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares RoHS
	Estándar de automoción AEC-Q101

Datasheet - ISK024NE2LM5

El MOSFET de potencia Infineon OptiMOSTM 5 de 25 V, 2,4 mΩ, factor de forma más pequeño en encapsulado PQFN 2x2. Con la nueva familia de productos BIC OptiMOSTM 5 en 25 V y 30 V, Infineon ofrece la mejor solución de su clase para eficiencia en un factor de forma pequeño, lo que la convierte en la solución perfecta para aplicaciones como carga inalámbrica, interruptores de carga y aplicaciones dc de baja potencia. El encapsulado PQFN 2x2 pequeño de 4 mm2, combinado con un excelente rendimiento eléctrico, contribuye a mejorar el factor de forma en aplicaciones finales, con un RDSon bajo de 2,4 mΩ.

Resistencia térmica superior para un encapsulado PQFN 2x2

Optimizado para el máximo rendimiento y densidad de potencia.

El RDSon más bajo del sector en el encapsulado PQFN 2x2 más pequeño,

canal N

100 % probado por avalancha, chapado de cable sin

plomo; En conformidad con RoHS

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon ISK024NE2LM5, VDSS 25 V, ID 55 A, PQFN de 6 pines

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