MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 25 A, Mejora, PQFN de 8 pines

Código RS:: 220-7485
Nº ref. fabric.:: IRFH7932TRPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 25 A, Mejora, PQFN de 8 pines

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Código RS:: 220-7485
Nº ref. fabric.:: IRFH7932TRPBF
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET y Diodo
	Corriente continua máxima de drenaje ld	25A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	30V
	Encapsulado	PQFN
	Serie	HEXFET
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	3.3mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	34nC
	Tensión directa Vf	1V
	Disipación de potencia máxima Pd	3.4W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Anchura	5.1 mm
	Certificaciones y estándares	RoHS
	Altura	1mm
	Longitud	6.1mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET y Diodo
	Corriente continua máxima de drenaje ld 25A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V
	Encapsulado PQFN
	Serie HEXFET
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.3mΩ
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 34nC
	Tensión directa Vf 1V
	Disipación de potencia máxima Pd 3.4W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Anchura 5.1 mm
	Certificaciones y estándares RoHS
	Altura 1mm
	Longitud 6.1mm
	Estándar de automoción No

Datasheet - IRFH7932TRPBF

Los MOSFET Infineon OptiMOS de potencia de canal N se han desarrollado para aumentar la eficiencia, la densidad de potencia y la rentabilidad. Diseñados para aplicaciones de alto rendimiento y optimizados para alta frecuencia de conmutación, los productos OptiMOS convencen con la mejor figura de mérito del sector. La gama de MOSFET de potencia OptiMOS, ahora complementada con un potente IRFET, crea una combinación realmente potente. Benefíciese de una combinación perfecta de resistencia y excelente precio/rendimiento de MOSFET IRFET potentes y la mejor tecnología de su clase de MOSFET OptiMOS. Ambas familias de productos responden a los más altos estándares de calidad y a las demandas de rendimiento. La cartera conjunta, que abarca tensiones de MOSFET de 12V a 300V, puede satisfacer una amplia gama de necesidades de frecuencias de conmutación bajas a altas como SMPS, aplicaciones de alimentación por batería, control de motor y controladores, inversores e informática.

RDS(ON) muy baja a 4,5 V VGS

Carga de puerta baja

Tensión de avalancha completamente caracterizada y.

Corriente

Probado al 100 % para RG

Sin plomo (calificación de reflujo de hasta 260 °C)

Conformidad con RoHS (sin halógenos)

Resistencia térmica baja

Cable de fuente grande para soldadura más fiable

MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 25 A, Mejora, PQFN de 8 pines

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