MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon IRFH3707TRPBF, VDSS 30 V, ID 12 A, Mejora, PQFN de 8 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
220-7481
Nº ref. fabric.:
IRFH3707TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET y Diodo

Corriente continua máxima de drenaje ld

12A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

PQFN

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

12.4mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

5.4nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

2.8W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

Lead-Free, RoHS

Anchura

3 mm

Longitud

3mm

Altura

1mm

Estándar de automoción

No

La familia Infineon de MOSFET de potencia IRFET resistente está optimizada para baja RDS(on) y alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y resistencia. La gama completa abarca una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores dc, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc.

Optimizado para ofrecer la mayor disponibilidad de los socios de distribución

Cualificación del producto según el estándar JEDEC

Encapsulado de montaje en superficie estándar del sector

Alternativa potencial al encapsulado SuperSO8 de alta RDS(on)

Amplia disponibilidad de los socios de distribución

Nivel de cualificación estándar del sector

La configuración de contactos estándar permite la sustitución directa

Tamaño pequeño

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