MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon IRFHS8342TRPBF, VDSS 30 V, ID 8.8 A, Mejora, PQFN de 8 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
220-7488
Nº ref. fabric.:
IRFHS8342TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET y Diodo

Corriente continua máxima de drenaje ld

8.8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

PQFN

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

16mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

2.1W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

8.7nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

1 mm

Longitud

2.1mm

Certificaciones y estándares

Industrial Qualification, MSL1, RoHS

Altura

2.1mm

Estándar de automoción

No

La Infineon IRFHS8342 es una familia de MOSFET de potencia IRFET potente optimizada para baja RDS(on) y alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y resistencia. La gama completa abarca una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores dc, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc.

Optimizado para ofrecer la mayor disponibilidad de los socios de distribución

Cualificación del producto según el estándar JEDEC

Encapsulado de alimentación de montaje en superficie estándar del sector

Baja RDS(on) en un encapsulado pequeño

Contorno pequeño

Amplia disponibilidad de los socios de distribución

Nivel de cualificación estándar del sector

La configuración de contactos estándar permite la sustitución directa

Alta densidad de potencia

Factor de forma compacto para aplicaciones de espacio crítico

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