MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon IRFHS8342TRPBF, VDSS 30 V, ID 8.8 A, Mejora, PQFN de 8 pines
- Código RS:
- 220-7488
- Nº ref. fabric.:
- IRFHS8342TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Disponibilidad de stock no accesible
- Código RS:
- 220-7488
- Nº ref. fabric.:
- IRFHS8342TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET y Diodo | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 8.8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | PQFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 16mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 8.7nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.1W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 2.1mm | |
| Longitud | 2.1mm | |
| Certificaciones y estándares | Industrial Qualification, MSL1, RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET y Diodo | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 8.8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado PQFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 16mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 8.7nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.1W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 2.1mm | ||
Longitud 2.1mm | ||
Certificaciones y estándares Industrial Qualification, MSL1, RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
La Infineon IRFHS8342 es una familia de MOSFET de potencia IRFET potente optimizada para baja RDS(on) y alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y resistencia. La gama completa abarca una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores dc, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc.
Optimizado para ofrecer la mayor disponibilidad de los socios de distribución
Cualificación del producto según el estándar JEDEC
Encapsulado de alimentación de montaje en superficie estándar del sector
Baja RDS(on) en un encapsulado pequeño
Contorno pequeño
Amplia disponibilidad de los socios de distribución
Nivel de cualificación estándar del sector
La configuración de contactos estándar permite la sustitución directa
Alta densidad de potencia
Factor de forma compacto para aplicaciones de espacio crítico
Enlaces relacionados
- MOSFET y Diodo VDSS 30 V Mejora, PQFN de 8 pines
- MOSFET y Diodo VDSS 30 V Mejora, PQFN de 8 pines
- MOSFET y Diodo VDSS 30 V Mejora, PQFN de 8 pines
- MOSFET y Diodo VDSS 30 V Mejora, PQFN de 8 pines
- MOSFET y Diodo VDSS 30 V Mejora, PQFN de 8 pines
- MOSFET y Diodo VDSS 30 V Mejora, PQFN de 8 pines
- MOSFET y Diodo VDSS 30 V Mejora, PQFN de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, PQFN de 8 pines
