MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon IRFH7932TRPBF, VDSS 30 V, ID 25 A, Mejora, PQFN de 8 pines
- Código RS:
- 220-7486
- Nº ref. fabric.:
- IRFH7932TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 15 unidades)*
13,425 €
(exc. IVA)
16,245 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 9435 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 0,895 € | 13,43 € |
| 75 - 135 | 0,85 € | 12,75 € |
| 150 - 360 | 0,832 € | 12,48 € |
| 375 - 735 | 0,779 € | 11,69 € |
| 750 + | 0,725 € | 10,88 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 220-7486
- Nº ref. fabric.:
- IRFH7932TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET y Diodo | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 25A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | PQFN | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.3mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 34nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 3.4W | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 6.1mm | |
| Anchura | 5.1 mm | |
| Altura | 1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET y Diodo | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 25A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado PQFN | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.3mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 34nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 3.4W | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 6.1mm | ||
Anchura 5.1 mm | ||
Altura 1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Los MOSFET Infineon OptiMOS de potencia de canal N se han desarrollado para aumentar la eficiencia, la densidad de potencia y la rentabilidad. Diseñados para aplicaciones de alto rendimiento y optimizados para alta frecuencia de conmutación, los productos OptiMOS convencen con la mejor figura de mérito del sector. La gama de MOSFET de potencia OptiMOS, ahora complementada con un potente IRFET, crea una combinación realmente potente. Benefíciese de una combinación perfecta de resistencia y excelente precio/rendimiento de MOSFET IRFET potentes y la mejor tecnología de su clase de MOSFET OptiMOS. Ambas familias de productos responden a los más altos estándares de calidad y a las demandas de rendimiento. La cartera conjunta, que abarca tensiones de MOSFET de 12V a 300V, puede satisfacer una amplia gama de necesidades de frecuencias de conmutación bajas a altas como SMPS, aplicaciones de alimentación por batería, control de motor y controladores, inversores e informática.
RDS(ON) muy baja a 4,5 V VGS
Carga de puerta baja
Tensión de avalancha completamente caracterizada y.
Corriente
Probado al 100 % para RG
Sin plomo (calificación de reflujo de hasta 260 °C)
Conformidad con RoHS (sin halógenos)
Resistencia térmica baja
Cable de fuente grande para soldadura más fiable
Enlaces relacionados
- MOSFET y Diodo VDSS 30 V Mejora, PQFN de 8 pines
- MOSFET VDSS 25 V Mejora, PQFN de 4 pines
- MOSFET VDSS 25 V Mejora, PQFN de 4 pines
- MOSFET y Diodo VDSS 30 V Mejora, PQFN de 8 pines
- MOSFET y Diodo VDSS 30 V Mejora, PQFN de 8 pines
- MOSFET y Diodo VDSS 30 V Mejora, PQFN de 8 pines
- MOSFET VDSS 25 V PQFN de 6 pines
- MOSFET VDSS 25 V PQFN de 6 pines
