MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 100 A, Mejora, PQFN de 8 pines

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Código RS:
220-7482
Nº ref. fabric.:
IRFH5300TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET y Diodo

Corriente continua máxima de drenaje ld

100A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

PQFN

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.4mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

50nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

3.6W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

6mm

Altura

0.9mm

Anchura

4.75 mm

Estándar de automoción

No

Infineon IRFH5300 es una familia de MOSFET de potencia resistente optimizada para baja RDS(on) y alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y resistencia. La gama completa abarca una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores dc, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc.

Optimizado para ofrecer la mayor disponibilidad de los socios de distribución

Cualificación del producto según el estándar JEDEC

Nivel lógico: Optimizado para tensión de accionamiento de puerta de 5 V.

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