MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPL65R130CFD7AUMA1, VDSS 650 V, ID 21 A, Mejora, ThinPAK 8x8 de 5 pines

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 unidad)*

4,34 €

(exc. IVA)

5,25 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 07 de diciembre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
1 - 94,34 €
10 - 244,12 €
25 - 493,94 €
50 - 993,78 €
100 +3,51 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
240-6620
Nº ref. fabric.:
IPL65R130CFD7AUMA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

21A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

IPL

Encapsulado

ThinPAK 8x8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

95mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

171W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Tensión directa Vf

1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

8.1mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de súper unión CFD7 CoolMOS™ de 650 V de Infineon se suministra en un encapsulado ThinPAK 8x8 y es ideal para topologías resonantes en aplicaciones industriales, como servidores, telecomunicaciones, solares y estaciones de carga EV, en las que permite mejoras significativas de eficiencia en comparación con la competencia. Como sucesor de la familia CFD2 SJ MOSFET, se suministra con carga de puerta reducida, comportamiento de desconexión mejorado y carga de recuperación inversa reducida que permite la máxima eficiencia y densidad de potencia, así como una tensión de ruptura adicional de 50 V.

Pérdidas de conmutación significativamente reducidas en comparación con la competencia

Margen de seguridad adicional para diseños con mayor tensión de bus

Eficiencia de carga completa mejorada en aplicaciones SMPS industriales

Alta densidad de potencia

Enlaces relacionados