MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPL65R160CFD7AUMA1, VDSS 650 V, ID 21 A, Mejora, ThinPAK 8x8 de 5 pines
- Código RS:
- 240-6622
- Nº ref. fabric.:
- IPL65R160CFD7AUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Subtotal (1 paquete de 2 unidades)*
5,47 €
(exc. IVA)
6,618 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 466 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 + | 2,735 € | 5,47 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 240-6622
- Nº ref. fabric.:
- IPL65R160CFD7AUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 21A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | IPL | |
| Encapsulado | ThinPAK 8x8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 95mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 171W | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 8.1mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 21A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie IPL | ||
Encapsulado ThinPAK 8x8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 95mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 171W | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 8.1mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de súper unión CFD7 CoolMOS™ de 650 V de Infineon se suministra en un encapsulado ThinPAK 8x8 y es ideal para topologías resonantes en aplicaciones industriales, como servidores, telecomunicaciones, solares y estaciones de carga EV, en las que permite mejoras significativas de eficiencia en comparación con la competencia. Como sucesor de la familia CFD2 SJ MOSFET, se suministra con carga de puerta reducida, comportamiento de desconexión mejorado y carga de recuperación inversa reducida que permite la máxima eficiencia y densidad de potencia, así como una tensión de ruptura adicional de 50 V.
Pérdidas de conmutación significativamente reducidas en comparación con la competencia
Margen de seguridad adicional para diseños con mayor tensión de bus
Eficiencia de carga completa mejorada en aplicaciones SMPS industriales
Alta densidad de potencia
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, ThinPAK 8x8 de 5 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, ThinPAK 8x8 de 5 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, ThinPAK 8x8 de 5 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, ThinPAK 8x8 de 5 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, ThinPAK 8x8 de 5 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, ThinPAK 8x8 de 5 pines
- MOSFET VDSS 700 V Mejora, ThinPAK 8x8 de 5 pines
- MOSFET VDSS 700 V Mejora, ThinPAK 8x8 de 5 pines