MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 700 V, ID 107 A, Mejora, ThinPAK 8x8 de 5 pines
- Código RS:
- 240-6623
- Nº ref. fabric.:
- IPL65R200CFD7AUMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 240-6623
- Nº ref. fabric.:
- IPL65R200CFD7AUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 107A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 700V | |
| Encapsulado | ThinPAK 8x8 | |
| Serie | IPL | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 95mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 8.1mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 107A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 700V | ||
Encapsulado ThinPAK 8x8 | ||
Serie IPL | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 95mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 8.1mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de súper unión CFD7 CoolMOS™ de 650 V de Infineon se suministra en un encapsulado ThinPAK 8x8 y es ideal para topologías resonantes en aplicaciones industriales, como servidores, telecomunicaciones, solares y estaciones de carga EV, en las que permite mejoras significativas de eficiencia en comparación con la competencia. Como sucesor de la familia CFD2 SJ MOSFET, se suministra con carga de puerta reducida, comportamiento de desconexión mejorado y carga de recuperación inversa reducida que permite la máxima eficiencia y densidad de potencia, así como una tensión de ruptura adicional de 50 V.
Pérdidas de conmutación significativamente reducidas en comparación con la competencia
Margen de seguridad adicional para diseños con mayor tensión de bus
Eficiencia de carga completa mejorada en aplicaciones SMPS industriales
Alta densidad de potencia
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