MOSFET Infineon IQE008N03LM5ATMA1, VDSS 30 V, ID 253 A, PQFN 3 x 3 de 8 pines

Código RS:: 240-6626
Nº ref. fabric.:: IQE008N03LM5ATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IQE008N03LM5ATMA1, VDSS 30 V, ID 253 A, PQFN 3 x 3 de 8 pines

500 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 5000)

1,047 €

(exc. IVA)

1,267 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
5000 +	1,047 €	5.235,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 240-6626
Nº ref. fabric.:: IQE008N03LM5ATMA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Datasheet - IQE008N03LM5ATMA1

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

La fuente de alimentación Infineon OptiMOSTM 5 de 30 V PQFN 3,3 x 3,3 dispone de 30 V y una baja RDS(on) de 0,85 mOhm. Ofrece varias ventajas, como mayor capacidad térmica, densidad de potencia avanzada o posibilidades de diseño mejoradas. Además, la mayor eficiencia, los requisitos de refrigeración activa reducidos y la disposición eficaz para gestión térmica son ventajas a nivel del sistema.

Pérdidas en PCB mejoradas
Permiten el máximo rendimiento y densidad de potencia

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	253 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	30 V
Tipo de Encapsulado	PQFN 3 x 3
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Número de Elementos por Chip	1

MOSFET Infineon IQE008N03LM5ATMA1, VDSS 30 V, ID 253 A, PQFN 3 x 3 de 8 pines

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