MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPA80R280P7XKSA1, VDSS 40 V, ID 84 A, P, TO-220 de 3 pines

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 unidad)*

3,23 €

(exc. IVA)

3,91 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 269 unidad(es) más para enviar a partir del 26 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
1 - 93,23 €
10 - 243,07 €
25 - 492,95 €
50 - 992,81 €
100 +2,62 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
242-0988
Nº ref. fabric.:
IPA80R280P7XKSA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

84A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

TO-220

Serie

IPA

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.9mΩ

Modo de canal

P

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El MOSFET de canal N de Infineon en formato de encapsulado TO-220-3. La corriente de drenaje continua máxima es de 17 A y la tensión de fuente de drenaje es de 800 V. Se centra principalmente en aplicaciones de retorno incluidas adaptador y cargador, controlador LED, SMPS de audio, AUX y alimentación industrial.

Tecnología de montaje en orificio pasante

Disipación de potencia de 30 W

La temperatura de funcionamiento es de -55 °C a 150 °C

Mejor rendimiento de producción al reducir fallos relacionados con ESD

Menos problemas de producción y menor retorno de campo

Enlaces relacionados