MOSFET, Tipo P-Canal Nexperia, VDSS 20 V, ID 20.2 A, Mejora, MLPAK33 de 8 pines

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Código RS:
243-4894
Nº ref. fabric.:
PXP8R3-20QXJ
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

20.2A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Encapsulado

MLPAK33

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

13.6mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

Transistor de efecto de campo (FET) de modo de mejora de canal P de Nexperia en un encapsulado de plástico de dispositivo montado en superficie (SMD) MLPAK33 (SOT8002) con tecnología Trench MOSFET.

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