MOSFET, Tipo P-Canal Nexperia, VDSS 20 V, ID 12.1 A, Mejora, MLPAK33 de 8 pines
- Código RS:
- 243-4884
- Nº ref. fabric.:
- PXP020-20QXJ
- Fabricante:
- Nexperia
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- Código RS:
- 243-4884
- Nº ref. fabric.:
- PXP020-20QXJ
- Fabricante:
- Nexperia
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 12.1A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Encapsulado | MLPAK33 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 13.6mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 12.1A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Encapsulado MLPAK33 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 13.6mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Transistor de efecto de campo (FET) de modo de mejora de canal P de Nexperia en un pequeño encapsulado de plástico de dispositivo montado en superficie (SMD) SOT23 con tecnología Trench MOSFET.
Tensión de umbral baja
Tecnología Trench MOSFET
Interruptor de carga de lado alto
Gestión de batería
Conversión CC a CC
Circuitos de conmutación
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