MOSFET, Tipo P-Canal Nexperia PXP8R3-20QXJ, VDSS 20 V, ID 20.2 A, Mejora, MLPAK33 de 8 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 paquete de 10 unidades)*

6,49 €

(exc. IVA)

7,85 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 1640 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
10 +0,649 €6,49 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
243-4895
Nº ref. fabric.:
PXP8R3-20QXJ
Fabricante:
Nexperia
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Nexperia

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

20.2A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Encapsulado

MLPAK33

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

13.6mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

Transistor de efecto de campo (FET) de modo de mejora de canal P de Nexperia en un encapsulado de plástico de dispositivo montado en superficie (SMD) MLPAK33 (SOT8002) con tecnología Trench MOSFET.

Tensión de umbral baja

Tecnología Trench MOSFET

Interruptor de carga de lado alto

Gestión de batería

Conversión CC a CC

Circuitos de conmutación

Enlaces relacionados