MOSFET, Tipo P-Canal Nexperia PXP8R3-20QXJ, VDSS 20 V, ID 20.2 A, Mejora, MLPAK33 de 8 pines

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Código RS:
243-4895
Nº ref. fabric.:
PXP8R3-20QXJ
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

20.2A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Encapsulado

MLPAK33

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

13.6mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

Transistor de efecto de campo (FET) de modo de mejora de canal P de Nexperia en un encapsulado de plástico de dispositivo montado en superficie (SMD) MLPAK33 (SOT8002) con tecnología Trench MOSFET.

Tensión de umbral baja

Tecnología Trench MOSFET

Interruptor de carga de lado alto

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Circuitos de conmutación

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