MOSFET ROHM, Tipo P, Tipo N-Canal UT6MA2TCR, VDSS 30 V, ID 4 A, HUML2020L8

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Código RS:
244-0139
Nº ref. fabric.:
UT6MA2TCR
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de canal

Tipo P, Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

HUML2020L8

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

70mΩ

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

4.3nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El MOSFET de ROHM es un encapsulado pequeño de montaje superficial adecuado para aplicaciones de conmutación. Tiene un rango de temperatura de almacenamiento de 55 °C a 155 °C y se suministra con un paquete de 3000 unidades.

Baja resistencia

Encapsulado para montaje superficial

Chapado de cable sin plomo; En conformidad con RoHS

Sin halógenos

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