MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPT012N08N5ATMA1, VDSS 800 V, ID 400 A, TO-263 de 8 pines

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Código RS:
244-0902
Nº ref. fabric.:
IPT012N08N5ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

400A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Serie

IPT

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.2mΩ

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de potencia OptiMOS de Infineon en encapsulado TO-Leadless está optimizado para aplicaciones de alta corriente de hasta 300 A, como en carretillas elevadoras, vehículos eléctricos ligeros (LEV), herramientas eléctricas, puntos de carga (POL), telecomunicaciones y fusibles electrónicos. Además, al ser el encapsulado un 60 % más pequeño, permite un diseño muy compacto.

Canal N, nivel normal

100 % probado en avalancha

Chapado sin plomo

Conforme a RoHS

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