MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPT026N10N5ATMA1, VDSS 800 V, ID 400 A, TO-263 de 8 pines

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Código RS:
244-0907
Nº ref. fabric.:
IPT026N10N5ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

400A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Encapsulado

TO-263

Serie

IPT

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.2mΩ

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de potencia de canal N IPT026N10N5 de Infineon en encapsulado TO-Leadless (TOLL) es idóneo para altas frecuencias de conmutación. Con una reducción de espacio del 60 % en comparación con el encapsulado de 7 contactos D2PAK, TOLL es la solución perfecta donde se requiere la máxima eficiencia, un comportamiento EMI excepcional, así como el mejor comportamiento térmico y la reducción de espacio ocupado.

Idóneo para conmutación de alta frecuencia y rectificación sincrónica

Excelente carga de puerta x RDS(on) producto (FOM)

Resistencia de conexión muy baja RDS(on)

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