MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPT020N10N5ATMA1, VDSS 800 V, ID 400 A, TO-263 de 8 pines

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Código RS:
244-0904
Nº ref. fabric.:
IPT020N10N5ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

400A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Serie

IPT

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.2mΩ

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de potencia industrial IPT020N10N5 en TO-Leadless de Infineon es la opción perfecta para altas frecuencias de conmutación.

Idóneo para conmutación de alta frecuencia y sincronización

Excelente carga de puerta x RDS(on) producto (FOM)

Resistencia de conexión muy baja RDS(on)

Resistencia de conexión muy baja RDS(on)

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