MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPT60R040S7XTMA1, VDSS 40 V, ID 400 A, HSOF-8 de 8 pines
- Código RS:
- 244-0909
- Nº ref. fabric.:
- IPT60R040S7XTMA1
- Fabricante:
- Infineon
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*precio indicativo
- Código RS:
- 244-0909
- Nº ref. fabric.:
- IPT60R040S7XTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 400A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | IPT | |
| Encapsulado | HSOF-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.2mΩ | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 400A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie IPT | ||
Encapsulado HSOF-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.2mΩ | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El IPT60R040S7 de Infineon ofrece la mejor relación rendimiento-precio para aplicaciones de conmutación de baja frecuencia. CoolMOS™ S7 cuenta con los valores de Rdson más bajos para un MOSFET HV SJ, con un aumento distintivo de la eficiencia energética.
La tecnología CoolMOS™ S7 permite un RDS(on) de 22 mΩ en el tamaño más pequeño.
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