MOSFET Infineon IGT60R070D1ATMA4, VDSS 600 V, ID 60 A, HSOF de 8 pines

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Código RS:
273-2755
Nº ref. fabric.:
IGT60R070D1ATMA4
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Corriente Máxima Continua de Drenaje

60 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

600 V

Tipo de Encapsulado

HSOF

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Modo de Canal

Mejora

Material del transistor

GaN

Número de Elementos por Chip

1

El transistor de potencia Infineon es un transistor de potencia de modo de mejora CoolGaNTM de 600 V de nitruro de gallio. Este transistor de potencia ofrece una velocidad de encendido y apagado rápida, pérdidas de conmutación mínimas y permite topologías de medio puente sencillas con la máxima eficiencia. La serie de nitruro de gallio CoolGaNTM 600V está calificada según una calificación completa GaN a medida que supera los estándares existentes. Se dirige a datos y SMPS de servidor, telecomunicaciones, así como adaptadores, cargadores, carga inalámbrica y numerosas otras aplicaciones que requieren la máxima eficiencia o densidad de potencia.

Reduce EMI
Reducción de costes del sistema
Capaz de conducción inversa
Robustez de conmutación superior
Permite una frecuencia de funcionamiento más alta
carga de compuerta baja y carga de salida baja

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