MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPT60R080G7XTMA1, VDSS 600 V, ID 29 A, Mejora, HSOF de 8 pines

Ver todo MOSFET
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 2 unidades)*

10,66 €

(exc. IVA)

12,90 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 1982 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
2 - 85,33 €10,66 €
10 - 184,585 €9,17 €
20 - 484,26 €8,52 €
50 - 983,995 €7,99 €
100 +3,68 €7,36 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
222-4940
Nº ref. fabric.:
IPT60R080G7XTMA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

29A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

HSOF

Serie

IPT60R

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

80mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

0.8V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

42nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

167W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

10.1mm

Anchura

10.58 mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

2.4mm

Estándar de automoción

No

La serie Infineon CoolMOS™ C7 Gold SuperJunction MOSFET (G7) reúne las ventajas de la tecnología mejorada CoolMOS™ C7 Gold 600V, Capacidad de fuente Kelvin 4pin y propiedades térmicas mejoradas del encapsulado SIN plomo (PEAJE) para permitir una posible solución SMD para topologías de conmutación dura de alta corriente como corrección de factor de potencia (PFC) hasta 3kW y para circuitos resonantes como LLC de gama alta.

Ofrece el mejor FOM R DS(on)XE OSS y R DS(on)xQ G.

Permite el mejor R DS(on) de su clase en el tamaño más pequeño

Enlaces relacionados