MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPT60R080G7XTMA1, VDSS 600 V, ID 29 A, Mejora, HSOF de 8 pines
- Código RS:
- 222-4940
- Nº ref. fabric.:
- IPT60R080G7XTMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
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| 10 - 18 | 6,07 € | 12,14 € |
| 20 - 48 | 5,64 € | 11,28 € |
| 50 - 98 | 5,29 € | 10,58 € |
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- Código RS:
- 222-4940
- Nº ref. fabric.:
- IPT60R080G7XTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 29A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | HSOF | |
| Serie | IPT60R | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 80mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 167W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 42nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 0.8V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 10.1mm | |
| Altura | 2.4mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 29A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado HSOF | ||
Serie IPT60R | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 80mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 167W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 42nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 0.8V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 10.1mm | ||
Altura 2.4mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
La serie Infineon CoolMOS™ C7 Gold SuperJunction MOSFET (G7) reúne las ventajas de la tecnología mejorada CoolMOS™ C7 Gold 600V, Capacidad de fuente Kelvin 4pin y propiedades térmicas mejoradas del encapsulado SIN plomo (PEAJE) para permitir una posible solución SMD para topologías de conmutación dura de alta corriente como corrección de factor de potencia (PFC) hasta 3kW y para circuitos resonantes como LLC de gama alta.
Ofrece el mejor FOM R DS(on)XE OSS y R DS(on)xQ G.
Permite el mejor R DS(on) de su clase en el tamaño más pequeño
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