MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPT60R028G7XTMA1, VDSS 600 V, ID 75 A, Mejora, HSOF de 8 pines
- Código RS:
- 222-4938
- Nº ref. fabric.:
- IPT60R028G7XTMA1
- Fabricante:
- Infineon
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*precio indicativo
- Código RS:
- 222-4938
- Nº ref. fabric.:
- IPT60R028G7XTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 75A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | HSOF | |
| Serie | IPT60R | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 28mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 123nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 391W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 0.8V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 10.1mm | |
| Altura | 2.4mm | |
| Anchura | 10.58 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 75A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado HSOF | ||
Serie IPT60R | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 28mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 123nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 391W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 0.8V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 10.1mm | ||
Altura 2.4mm | ||
Anchura 10.58 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
La serie Infineon CoolMOS™ C7 Gold SuperJunction MOSFET (G7) reúne las ventajas de la tecnología mejorada CoolMOS™ C7 Gold 600V, Capacidad de fuente Kelvin 4pin y propiedades térmicas mejoradas del encapsulado SIN plomo (PEAJE) para permitir una posible solución SMD para topologías de conmutación dura de alta corriente como corrección de factor de potencia (PFC) hasta 3kW y para circuitos resonantes como LLC de gama alta.
Ofrece el mejor FOM R DS(on)XE OSS y R DS(on)xQ G.
Permite el mejor R DS(on) de su clase en el tamaño más pequeño
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