MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IGT60R190D1SATMA1, VDSS 600 V, ID 12.5 A, Mejora, HSOF de 8 pines
- Código RS:
- 222-4638
- Nº ref. fabric.:
- IGT60R190D1SATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 unidad)*
15,91 €
(exc. IVA)
19,25 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 16 de diciembre de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 9 | 15,91 € |
| 10 - 99 | 14,61 € |
| 100 - 249 | 13,45 € |
| 250 - 499 | 12,51 € |
| 500 + | 12,15 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 222-4638
- Nº ref. fabric.:
- IGT60R190D1SATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 12.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | HSOF | |
| Serie | CoolGaN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 190mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 12.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado HSOF | ||
Serie CoolGaN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 190mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Infineon Design de Cool MOS™ es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. La serie MOS™ P6 de Cool combina la experiencia del proveedor líder de MOSFET SJ con la innovación de alta calidad. Los dispositivos ofrecidos proporcionan todas las ventajas de un MOSFET SJ de conmutación rápida sin sacrificar la facilidad de uso. Las pérdidas de conducción y conmutación extremadamente bajas hacen que las aplicaciones de conmutación sean aún más eficientes, más compactas, más ligeras y más frías.
Mayor resistencia de mosfet dv/dt
Pérdidas extremadamente bajas debido a la muy baja FOM Rdson*QG y Eoss
Resistencia a conmutación muy alta
Compuesto moldeado sin halógenos chapado sin plomo
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, HSOF de 8 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, HSOF de 8 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, HSOF de 8 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, HSOF de 8 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, HSOF de 8 pines
- MOSFET Infineon IGT60R070D1ATMA4 ID 60 A, HSOF de 8 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, HSOF de 8 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, HSOF de 8 pines
