MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 12.5 A, Mejora, HSOF de 8 pines

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Código RS:
222-4637
Nº ref. fabric.:
IGT60R190D1SATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

12.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

HSOF

Serie

CoolGaN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

190mΩ

Modo de canal

Mejora

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

Infineon Design de Cool MOS™ es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. La serie MOS™ P6 de Cool combina la experiencia del proveedor líder de MOSFET SJ con la innovación de alta calidad. Los dispositivos ofrecidos proporcionan todas las ventajas de un MOSFET SJ de conmutación rápida sin sacrificar la facilidad de uso. Las pérdidas de conducción y conmutación extremadamente bajas hacen que las aplicaciones de conmutación sean aún más eficientes, más compactas, más ligeras y más frías.

Mayor resistencia de mosfet dv/dt

Pérdidas extremadamente bajas debido a la muy baja FOM Rdson*QG y Eoss

Resistencia a conmutación muy alta

Compuesto moldeado sin halógenos chapado sin plomo

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