MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPT60R102G7XTMA1, VDSS 600 V, ID 23 A, Mejora, HSOF de 8 pines

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Código RS:
214-4426
Nº ref. fabric.:
IPT60R102G7XTMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

23A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

HSOF

Serie

600V CoolMOS G7 SJ

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

102mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

0.8V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

34nC

Disipación de potencia máxima Pd

141W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

2.4mm

Anchura

10.58 mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

10.1mm

Estándar de automoción

No

Este MOSFET Infineon 600V Cool MOS G7 SJ reúne las ventajas de la tecnología 600V Cool MOS™ C7 Gold mejorada, Capacidad de fuente Kelvin 4pin y propiedades térmicas mejoradas del encapsulado SIN plomo (PEAJE) para permitir una posible solución SMD para topologías de conmutación dura de alta corriente como corrección de factor de potencia (PFC)

Permite el mejor R DS(on) de su clase en el tamaño más pequeño

Ha proporcionado una reducción de los costes de producción

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