MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPT60R102G7XTMA1, VDSS 600 V, ID 23 A, Mejora, HSOF de 8 pines
- Código RS:
- 214-4426
- Nº ref. fabric.:
- IPT60R102G7XTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 paquete de 5 unidades)*
17,57 €
(exc. IVA)
21,26 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 1510 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 3,514 € | 17,57 € |
| 10 - 20 | 3,162 € | 15,81 € |
| 25 - 45 | 2,952 € | 14,76 € |
| 50 - 120 | 2,776 € | 13,88 € |
| 125 + | 2,562 € | 12,81 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 214-4426
- Nº ref. fabric.:
- IPT60R102G7XTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 23A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | 600V CoolMOS G7 SJ | |
| Encapsulado | HSOF | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 102mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 141W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 34nC | |
| Tensión directa Vf | 0.8V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 10.1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 2.4mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 23A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie 600V CoolMOS G7 SJ | ||
Encapsulado HSOF | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 102mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 141W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 34nC | ||
Tensión directa Vf 0.8V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 10.1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 2.4mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Este MOSFET Infineon 600V Cool MOS G7 SJ reúne las ventajas de la tecnología 600V Cool MOS™ C7 Gold mejorada, Capacidad de fuente Kelvin 4pin y propiedades térmicas mejoradas del encapsulado SIN plomo (PEAJE) para permitir una posible solución SMD para topologías de conmutación dura de alta corriente como corrección de factor de potencia (PFC)
Permite el mejor R DS(on) de su clase en el tamaño más pequeño
Ha proporcionado una reducción de los costes de producción
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, HSOF de 8 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, PG-HSOF-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, HSOF de 8 pines
- MOSFET VDSS 650 V Mejora, HSOF de 8 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, HSOF de 8 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, HSOF de 8 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, HSOF de 8 pines
- MOSFET VDSS 600 V Mejora, HSOF de 8 pines