MOSFET Infineon IPT60R150G7XTMA1, VDSS 650 V, ID 23 A, HSOF-8 de 8 pines

La serie de MOSFET de superunión de oro CoolMOS C7 de Infineon (G7) aúna las ventajas de la tecnología CoolMOS™ C7 Gold de 600V nm mejorada, Capacidad de fuente Kelvin de 4pin W y las propiedades térmicas mejoradas del encapsulado TO-Leadless (PEAJE) para permitir una posible solución SMD para topologías de conmutación dura de alta corriente como corrección de factor de potencia (PFC) de hasta 3kW A y para circuitos resonantes como LLC de gama alta.

Proporciona el mejor FOM R DS(on)XE oss y R DS(on)xQ G
Permite el mejor R DS(on) de su clase en el tamaño más pequeño
Configuración de fuente Kelvin de 4 contactos incorporada e inductancia de fuente parásita baja (∼1nH uF)
Cumple con MSL1, sin plomo total, tiene cables ranurados de inspección Easy Visual
Permite mejorar el rendimiento térmico R th
Mayor eficiencia gracias a la tecnología C7 Gold mejorada y a la conmutación más rápida
Densidad de potencia mejorada gracias a la baja R DS(on) en tamaño pequeño, sustituyendo LOS ENCAPSULADOS TO (restricciones de altura) o encapsulados SMD paralelos gracias a los requisitos térmicos o R DS(on)