MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPT60R150G7XTMA1, VDSS 650 V, ID 23 A, Mejora, HSOF de 8 pines

Código RS:: 219-6013
Nº ref. fabric.:: IPT60R150G7XTMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPT60R150G7XTMA1, VDSS 650 V, ID 23 A, Mejora, HSOF de 8 pines

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50 - 120	2,858 €	14,29 €
125 - 245	2,652 €	13,26 €
250 +	2,446 €	12,23 €

*precio indicativo

Código RS:: 219-6013
Nº ref. fabric.:: IPT60R150G7XTMA1
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	23A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	650V
	Encapsulado	HSOF
	Serie	C7 GOLD
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	150mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	23nC
	Disipación de potencia máxima Pd	106W
	Tensión directa Vf	0.8V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	10.1mm
	Altura	2.4mm
	Anchura	10.58 mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 23A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V
	Encapsulado HSOF
	Serie C7 GOLD
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 150mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 23nC
	Disipación de potencia máxima Pd 106W
	Tensión directa Vf 0.8V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 10.1mm
	Altura 2.4mm
	Anchura 10.58 mm
	Estándar de automoción No

Datasheet - IPT60R150G7XTMA1

La serie de MOSFET de superunión de oro CoolMOS C7 de Infineon (G7) aúna las ventajas de la tecnología CoolMOS™ C7 Gold de 600V nm mejorada, Capacidad de fuente Kelvin de 4pin W y las propiedades térmicas mejoradas del encapsulado TO-Leadless (PEAJE) para permitir una posible solución SMD para topologías de conmutación dura de alta corriente como corrección de factor de potencia (PFC) de hasta 3kW A y para circuitos resonantes como LLC de gama alta.

Proporciona el mejor FOM R DS(on)XE oss y R DS(on)xQ G

Permite el mejor R DS(on) de su clase en el tamaño más pequeño

Configuración de fuente Kelvin de 4 contactos incorporada e inductancia de fuente parásita baja (∼1nH uF)

Cumple con MSL1, sin plomo total, tiene cables ranurados de inspección Easy Visual

Permite mejorar el rendimiento térmico R th

Mayor eficiencia gracias a la tecnología C7 Gold mejorada y a la conmutación más rápida

Densidad de potencia mejorada gracias a la baja R DS(on) en tamaño pequeño, sustituyendo LOS ENCAPSULADOS TO (restricciones de altura) o encapsulados SMD paralelos gracias a los requisitos térmicos o R DS(on)

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPT60R150G7XTMA1, VDSS 650 V, ID 23 A, Mejora, HSOF de 8 pines

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