MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 23 A, Mejora, HSOF de 8 pines

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Código RS:
219-6012
Nº ref. fabric.:
IPT60R150G7XTMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

23A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

C7 GOLD

Encapsulado

HSOF

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

150mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

0.8V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

23nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

106W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

10.58 mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

10.1mm

Altura

2.4mm

Estándar de automoción

No

La serie de MOSFET de superunión de oro CoolMOS C7 de Infineon (G7) aúna las ventajas de la tecnología CoolMOS™ C7 Gold de 600V nm mejorada, Capacidad de fuente Kelvin de 4pin W y las propiedades térmicas mejoradas del encapsulado TO-Leadless (PEAJE) para permitir una posible solución SMD para topologías de conmutación dura de alta corriente como corrección de factor de potencia (PFC) de hasta 3kW A y para circuitos resonantes como LLC de gama alta.

Proporciona el mejor FOM R DS(on)XE oss y R DS(on)xQ G

Permite el mejor R DS(on) de su clase en el tamaño más pequeño

Configuración de fuente Kelvin de 4 contactos incorporada e inductancia de fuente parásita baja (∼1nH uF)

Cumple con MSL1, sin plomo total, tiene cables ranurados de inspección Easy Visual

Permite mejorar el rendimiento térmico R th

Mayor eficiencia gracias a la tecnología C7 Gold mejorada y a la conmutación más rápida

Densidad de potencia mejorada gracias a la baja R DS(on) en tamaño pequeño, sustituyendo LOS ENCAPSULADOS TO (restricciones de altura) o encapsulados SMD paralelos gracias a los requisitos térmicos o R DS(on)

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