MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 23 A, Mejora, HSOF de 8 pines

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Código RS:
219-6012
Nº ref. fabric.:
IPT60R150G7XTMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

23A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

HSOF

Serie

C7 GOLD

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

150mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

23nC

Tensión directa Vf

0.8V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

106W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

10.58 mm

Longitud

10.1mm

Altura

2.4mm

Estándar de automoción

No

La serie de MOSFET de superunión de oro CoolMOS C7 de Infineon (G7) aúna las ventajas de la tecnología CoolMOS™ C7 Gold de 600V nm mejorada, Capacidad de fuente Kelvin de 4pin W y las propiedades térmicas mejoradas del encapsulado TO-Leadless (PEAJE) para permitir una posible solución SMD para topologías de conmutación dura de alta corriente como corrección de factor de potencia (PFC) de hasta 3kW A y para circuitos resonantes como LLC de gama alta.

Proporciona el mejor FOM R DS(on)XE oss y R DS(on)xQ G

Permite el mejor R DS(on) de su clase en el tamaño más pequeño

Configuración de fuente Kelvin de 4 contactos incorporada e inductancia de fuente parásita baja (∼1nH uF)

Cumple con MSL1, sin plomo total, tiene cables ranurados de inspección Easy Visual

Permite mejorar el rendimiento térmico R th

Mayor eficiencia gracias a la tecnología C7 Gold mejorada y a la conmutación más rápida

Densidad de potencia mejorada gracias a la baja R DS(on) en tamaño pequeño, sustituyendo LOS ENCAPSULADOS TO (restricciones de altura) o encapsulados SMD paralelos gracias a los requisitos térmicos o R DS(on)

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