MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 23 A, Mejora, HSOF de 8 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 2000 unidades)*

3.862,00 €

(exc. IVA)

4.674,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 29 de octubre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
2000 +1,931 €3.862,00 €

*precio indicativo

Código RS:
214-4425
Nº ref. fabric.:
IPT60R102G7XTMA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

23A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

HSOF

Serie

600V CoolMOS G7 SJ

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

102mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

141W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

0.8V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

34nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

2.4mm

Longitud

10.1mm

Anchura

10.58 mm

Estándar de automoción

No

Este MOSFET Infineon 600V Cool MOS G7 SJ reúne las ventajas de la tecnología 600V Cool MOS™ C7 Gold mejorada, Capacidad de fuente Kelvin 4pin y propiedades térmicas mejoradas del encapsulado SIN plomo (PEAJE) para permitir una posible solución SMD para topologías de conmutación dura de alta corriente como corrección de factor de potencia (PFC)

Permite el mejor R DS(on) de su clase en el tamaño más pequeño

Ha proporcionado una reducción de los costes de producción

Enlaces relacionados