MOSFET Infineon IPT60R102G7XTMA1, VDSS 600 V, ID 23 A, HSOF-8 de 8 pines
- Código RS:
- 214-4425
- Nº ref. fabric.:
- IPT60R102G7XTMA1
- Fabricante:
- Infineon
2000 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).
Precio unitario (Suministrado en Carretes de 2000)
2,668 €
(exc. IVA)
3,228 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Carrete* |
|---|---|---|
| 2000 + | 2,668 € | 5.336,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 214-4425
- Nº ref. fabric.:
- IPT60R102G7XTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Este MOSFET Infineon 600V Cool MOS G7 SJ reúne las ventajas de la tecnología 600V Cool MOS™ C7 Gold mejorada, Capacidad de fuente Kelvin 4pin y propiedades térmicas mejoradas del encapsulado SIN plomo (PEAJE) para permitir una posible solución SMD para topologías de conmutación dura de alta corriente como corrección de factor de potencia (PFC)
Permite el mejor R DS(on) de su clase en el tamaño más pequeño
Ha proporcionado una reducción de los costes de producción
Ha proporcionado una reducción de los costes de producción
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 23 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 600 V |
| Serie | CoolMOS™ G7 |
| Tipo de Encapsulado | HSOF-8 |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 8 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 0.102 Ω |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 4V |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
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