MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 29 A, Mejora, HSOF de 8 pines

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Código RS:
222-4939
Nº ref. fabric.:
IPT60R080G7XTMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

29A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

HSOF

Serie

IPT60R

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

80mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

0.8V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

42nC

Disipación de potencia máxima Pd

167W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

10.58 mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

10.1mm

Altura

2.4mm

Estándar de automoción

No

La serie Infineon CoolMOS™ C7 Gold SuperJunction MOSFET (G7) reúne las ventajas de la tecnología mejorada CoolMOS™ C7 Gold 600V, Capacidad de fuente Kelvin 4pin y propiedades térmicas mejoradas del encapsulado SIN plomo (PEAJE) para permitir una posible solución SMD para topologías de conmutación dura de alta corriente como corrección de factor de potencia (PFC) hasta 3kW y para circuitos resonantes como LLC de gama alta.

Ofrece el mejor FOM R DS(on)XE OSS y R DS(on)xQ G.

Permite el mejor R DS(on) de su clase en el tamaño más pequeño

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