MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPT60R050G7XTMA1, VDSS 600 V, ID 44 A, Mejora, HSOF de 8 pines

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Código RS:
215-2556
Nº ref. fabric.:
IPT60R050G7XTMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

44A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

HSOF

Serie

CoolMOS P7

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

50mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

0.8V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

68nC

Disipación de potencia máxima Pd

245W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

La serie Infineon Cool MOS™ C7 Gold Super Junction MOSFET (G7) reúne las ventajas de la tecnología 600V Cool MOS™ C7 Gold mejorada, Capacidad de fuente Kelvin 4pin y propiedades térmicas mejoradas del encapsulado SIN plomo (PEAJE) para permitir una posible solución SMD para topologías de conmutación dura de alta corriente como corrección de factor de potencia (PFC) hasta 3kW y para circuitos resonantes como LLC de gama alta.

Ofrece el mejor FOM R DS(on)XE OSS y R DS(on)xQ G.

Permite el mejor R DS(on) de su clase en el tamaño más pequeño

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