MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPT013N08NM5LFATMA1, VDSS 80 V, ID 333 A, HSOF-8 de 8 pines

Ver todo MOSFET
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 unidad)*

5,87 €

(exc. IVA)

7,10 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 3 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"

Unidad(es)
Por unidad
1 - 95,87 €
10 - 245,57 €
25 - 495,34 €
50 - 995,11 €
100 +4,75 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
236-1587
Nº ref. fabric.:
IPT013N08NM5LFATMA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

333A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

HSOF-8

Serie

IPT

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.3mΩ

Disipación de potencia máxima Pd

278W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

158nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

10.1mm

Altura

2.4mm

Estándar de automoción

No

MOSFET lineal de 80 V Infineon OptiMOS 5. Este producto está totalmente calificado según JEDEC para aplicaciones industriales .

Ideal para aplicaciones de intercambio en caliente y fusibles electrónicos

Resistencia de conexión RDS(on) muy baja

SOA de área de funcionamiento segura amplia

Canal N, nivel normal

100 % a prueba de avalancha

Chapado sin plomo, sin halógenos

Enlaces relacionados