MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPT013N08NM5LFATMA1, VDSS 80 V, ID 333 A, HSOF-8 de 8 pines

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Código RS:
236-1586
Nº ref. fabric.:
IPT013N08NM5LFATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

333A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

HSOF-8

Serie

IPT

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.3mΩ

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

158nC

Disipación de potencia máxima Pd

278W

Tensión directa Vf

1V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

10.1mm

Altura

2.4mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

MOSFET lineal de 80 V Infineon OptiMOS 5. Este producto está totalmente calificado según JEDEC para aplicaciones industriales .

Ideal para aplicaciones de intercambio en caliente y fusibles electrónicos

Resistencia de conexión RDS(on) muy baja

SOA de área de funcionamiento segura amplia

Canal N, nivel normal

100 % a prueba de avalancha

Chapado sin plomo, sin halógenos

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