MOSFET DiodesZetex, Tipo N-Canal, VDSS 100 V, UDFN-2020, Mejora de 6 pines, 2

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Código RS:
246-6786
Nº ref. fabric.:
DMN10H6D2LFDB-7
Fabricante:
DiodesZetex
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Marca

DiodesZetex

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

UDFN-2020

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

10Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

0.7W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

1.2nC

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

El DiodesZetex produce un MOSFET de modo de mejora de canal N de nueva generación, se ha diseñado para minimizar la resistencia en estado activo (RDS(ON)) y mantener un rendimiento de conmutación superior, lo que lo convierte en ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia. Es un dispositivo ecológico y totalmente libre de plomo, halógenos y antimonio. Este MOSFET se suministra en encapsulado U-DFN2020-6. Ofrece conmutación rápida y alta eficiencia. Ofrece una puerta protegida contra ESD (hasta 1 kV).

La tensión máxima de drenaje a fuente es de 100 V. La tensión máxima de puerta a fuente es de ±20 V. Ofrece una tensión de umbral de puerta baja. Proporciona una baja capacitancia de entrada

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