MOSFET DiodesZetex, Tipo N-Canal, VDSS 100 V, UDFN-2020, Mejora de 6 pines, 2
- Código RS:
- 246-6786
- Nº ref. fabric.:
- DMN10H6D2LFDB-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
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- Código RS:
- 246-6786
- Nº ref. fabric.:
- DMN10H6D2LFDB-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | UDFN-2020 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 10Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 0.7W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 1.2nC | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado UDFN-2020 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 10Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 0.7W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 1.2nC | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
El DiodesZetex produce un MOSFET de modo de mejora de canal N de nueva generación, se ha diseñado para minimizar la resistencia en estado activo (RDS(ON)) y mantener un rendimiento de conmutación superior, lo que lo convierte en ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia. Es un dispositivo ecológico y totalmente libre de plomo, halógenos y antimonio. Este MOSFET se suministra en encapsulado U-DFN2020-6. Ofrece conmutación rápida y alta eficiencia. Ofrece una puerta protegida contra ESD (hasta 1 kV).
La tensión máxima de drenaje a fuente es de 100 V. La tensión máxima de puerta a fuente es de ±20 V. Ofrece una tensión de umbral de puerta baja. Proporciona una baja capacitancia de entrada
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