MOSFET DiodesZetex, N-Canal, VDSS 20 V, ID 7 A, TSOT-26, Mejora de 6 pines
- Código RS:
- 246-6790
- Nº ref. fabric.:
- DMN2024UVTQ-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
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|---|---|---|
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- Código RS:
- 246-6790
- Nº ref. fabric.:
- DMN2024UVTQ-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 7A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Encapsulado | TSOT-26 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.034Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 7.1nC | |
| Tensión directa Vf | 900mV | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 10V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 7A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Encapsulado TSOT-26 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.034Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 7.1nC | ||
Tensión directa Vf 900mV | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 10V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El DiodesZetex crea un MOSFET de modo de mejora de canal N, diseñado para cumplir los estrictos requisitos de aplicaciones de automoción. Es un dispositivo ecológico y totalmente libre de plomo, halógenos y antimonio. Este MOSFET se suministra en un encapsulado TSOT26. Ofrece conmutación rápida y alta eficiencia. Su conmutación inductiva 100 % sin abrazadera garantiza una aplicación final más fiable y robusta.
La tensión máxima de drenaje a fuente es de 20 V y la tensión máxima de puerta a fuente es de ±10 V. Encapsulado térmicamente eficiente ideal para aplicaciones de funcionamiento más frías Ofrece baja capacitancia de entrada
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