MOSFET DiodesZetex, Tipo N-Canal, VDSS 20 V, US, Mejora de 6 pines, 2

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Código RS:
246-6798
Nº ref. fabric.:
DMN2710UDW-7
Fabricante:
DiodesZetex
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Marca

DiodesZetex

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Encapsulado

US

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.75Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

0.6nC

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

0.36W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

6 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

El DiodesZetex produce un MOSFET de modo de mejora de canal N de nueva generación, se ha diseñado para minimizar la resistencia en estado activo (RDS(ON)) y mantener un rendimiento de conmutación superior, lo que lo convierte en ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia. Es un dispositivo ecológico y totalmente libre de plomo, halógenos y antimonio. Este MOSFET se suministra en un encapsulado SOT363. Ofrece conmutación rápida y alta eficiencia. Su conmutación inductiva 100 % sin abrazadera garantiza una aplicación final más fiable y robusta.

La tensión máxima de drenaje a fuente es de 20 V y la tensión máxima de puerta a fuente es de ±6 V. Ofrece un tamaño de encapsulado ultrapequeño. Tiene fugas de entrada/salida bajas

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