MOSFET DiodesZetex, Tipo N-Canal DMN2710UDW-7, VDSS 20 V, US, Mejora de 6 pines, 2
- Código RS:
- 246-7513
- Nº ref. fabric.:
- DMN2710UDW-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 0,178 € | 4,45 € |
| 50 - 75 | 0,174 € | 4,35 € |
| 100 - 225 | 0,128 € | 3,20 € |
| 250 - 975 | 0,126 € | 3,15 € |
| 1000 + | 0,122 € | 3,05 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 246-7513
- Nº ref. fabric.:
- DMN2710UDW-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Encapsulado | US | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.75Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 0.6nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 6 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 0.36W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Encapsulado US | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.75Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 0.6nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 6 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 0.36W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
El DiodesZetex produce un MOSFET de modo de mejora de canal N de nueva generación, se ha diseñado para minimizar la resistencia en estado activo (RDS(ON)) y mantener un rendimiento de conmutación superior, lo que lo convierte en ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia. Es un dispositivo ecológico y totalmente libre de plomo, halógenos y antimonio. Este MOSFET se suministra en un encapsulado SOT363. Ofrece conmutación rápida y alta eficiencia. Su conmutación inductiva 100 % sin abrazadera garantiza una aplicación final más fiable y robusta.
La tensión máxima de drenaje a fuente es de 20 V y la tensión máxima de puerta a fuente es de ±6 V. Ofrece un tamaño de encapsulado ultrapequeño. Tiene fugas de entrada/salida bajas
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