MOSFET, Tipo N-Canal DiodesZetex, VDSS 20 V, ID 230 mA, Mejora, SC-89 de 3 pines
- Código RS:
- 246-6801
- Nº ref. fabric.:
- DMN2710UTQ-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
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- Código RS:
- 246-6801
- Nº ref. fabric.:
- DMN2710UTQ-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 230mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Encapsulado | SC-89 | |
| Serie | DMN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 15Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 12.9nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 300mW | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 10 V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 0.8mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 0.85 mm | |
| Longitud | 1.7mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 230mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Encapsulado SC-89 | ||
Serie DMN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 15Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 12.9nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 300mW | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 10 V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 0.8mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 0.85 mm | ||
Longitud 1.7mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El DiodesZetex produce un MOSFET de modo de mejora de canal N de nueva generación, se ha diseñado para minimizar la resistencia en estado activo (RDS(ON)) y mantener un rendimiento de conmutación superior, lo que lo convierte en ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia. Es un dispositivo ecológico y totalmente libre de plomo, halógenos y antimonio. Este MOSFET se suministra en un encapsulado SOT523. Ofrece conmutación rápida y alta eficiencia.
La tensión máxima de drenaje a fuente es de 20 V. La tensión máxima de puerta a fuente es de ±6 V. Ofrece un tamaño de encapsulado ultrapequeño. Su encapsulado térmicamente eficiente permite productos finales de mayor densidad
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