MOSFET, N-Canal DiodesZetex DMN2710UTQ-7, VDSS 20 V, ID 230 mA, Mejora, SC-89 de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
246-7514
Nº ref. fabric.:
DMN2710UTQ-7
Fabricante:
DiodesZetex
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Marca

DiodesZetex

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

230mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Serie

DMN

Encapsulado

SC-89

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

15Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

300mW

Tensión máxima de la fuente de la puerta

10V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

12.9nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

1.7mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

0.85mm

Altura

0.8mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

El DiodesZetex produce un MOSFET de modo de mejora de canal N de nueva generación, se ha diseñado para minimizar la resistencia en estado activo (RDS(ON)) y mantener un rendimiento de conmutación superior, lo que lo convierte en ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia. Es un dispositivo ecológico y totalmente libre de plomo, halógenos y antimonio. Este MOSFET se suministra en un encapsulado SOT523. Ofrece conmutación rápida y alta eficiencia.

La tensión máxima de drenaje a fuente es de 20 V. La tensión máxima de puerta a fuente es de ±6 V. Ofrece un tamaño de encapsulado ultrapequeño. Su encapsulado térmicamente eficiente permite productos finales de mayor densidad

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