MOSFET, Tipo N-Canal DiodesZetex, VDSS 60 V, ID 4 A, Mejora, PowerDI3333-8 de 8 pines

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Código RS:
246-6813
Nº ref. fabric.:
DMN6069SFVW-7
Fabricante:
DiodesZetex
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Marca

DiodesZetex

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

DMN

Encapsulado

PowerDI3333-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.1Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

1.73W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

8 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

2.7mm

Anchura

2 mm

Altura

0.85mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

El DiodesZetex produce un MOSFET de modo de mejora de canal N de nueva generación, se ha diseñado para minimizar la resistencia en estado activo (RDS(ON)) y mantener un rendimiento de conmutación superior, lo que lo convierte en ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia. Es un dispositivo ecológico y totalmente libre de plomo, halógenos y antimonio. Este MOSFET se suministra en un encapsulado powerDI3333-8. Ofrece conmutación rápida y alta eficiencia.

La tensión máxima de drenaje a fuente es de 60 V La tensión máxima de puerta a fuente es de ±20 V Ofrece un diseño pequeño y el encapsulado térmicamente eficiente permite productos finales de mayor densidad Ofrece un diseño pequeño El encapsulado térmicamente eficiente permite productos finales de mayor densidad Flanco humedecible para mejorar las inspecciones ópticas

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