MOSFET, N-Canal DiodesZetex, VDSS 100 V, ID 101 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 246-6864
- Nº ref. fabric.:
- DMT10H9M9LCT
- Fabricante:
- DiodesZetex
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Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,17 € | 58,50 € |
| 100 - 450 | 1,053 € | 52,65 € |
| 500 + | 0,975 € | 48,75 € |
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- Código RS:
- 246-6864
- Nº ref. fabric.:
- DMT10H9M9LCT
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 101A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.014Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.73W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 8V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 31.24mm | |
| Longitud | 10.66mm | |
| Anchura | 4.82mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 101A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.014Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.73W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 8V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 31.24mm | ||
Longitud 10.66mm | ||
Anchura 4.82mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El DiodesZetex crea un MOSFET de modo de mejora de canal N de nueva generación, diseñado para minimizar la resistencia en estado activo (RDS(ON)) manteniendo al mismo tiempo un rendimiento de conmutación rápido, lo que lo convierte en ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia. Es un dispositivo ecológico y totalmente libre de plomo, halógenos y antimonio. Este MOSFET se suministra en encapsulado TO220AB. Ofrece conmutación rápida y alta eficiencia. Su conmutación inductiva 100 % sin abrazadera garantiza una aplicación final más fiable y robusta.
La tensión máxima de drenaje a fuente es de 100 V y la tensión máxima de puerta a fuente es de ±20 V. Ofrece una resistencia de conexión baja Tiene un valor nominal BVDSS alto para aplicaciones de potencia. Ofrece una baja capacitancia de entrada
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