MOSFET, Tipo N-Canal DiodesZetex DMT10H9M9LCT, VDSS 100 V, ID 101 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
246-7545
Nº ref. fabric.:
DMT10H9M9LCT
Fabricante:
DiodesZetex
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Marca

DiodesZetex

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

101A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.014Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

1.73W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

8 V

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

10.66mm

Anchura

4.82 mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

31.24mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

El DiodesZetex crea un MOSFET de modo de mejora de canal N de nueva generación, diseñado para minimizar la resistencia en estado activo (RDS(ON)) manteniendo al mismo tiempo un rendimiento de conmutación rápido, lo que lo convierte en ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia. Es un dispositivo ecológico y totalmente libre de plomo, halógenos y antimonio. Este MOSFET se suministra en encapsulado TO220AB. Ofrece conmutación rápida y alta eficiencia. Su conmutación inductiva 100 % sin abrazadera garantiza una aplicación final más fiable y robusta.

La tensión máxima de drenaje a fuente es de 100 V y la tensión máxima de puerta a fuente es de ±20 V. Ofrece una resistencia de conexión baja Tiene un valor nominal BVDSS alto para aplicaciones de potencia. Ofrece una baja capacitancia de entrada

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