MOSFET, Tipo N-Canal DiodesZetex DMT10H9M9LCT, VDSS 100 V, ID 101 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 5 unidades)*

7,11 €

(exc. IVA)

8,605 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 115 unidad(es) más para enviar a partir del 23 de febrero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
5 - 51,422 €7,11 €
10 - 201,268 €6,34 €
25 - 951,244 €6,22 €
100 - 4951,004 €5,02 €
500 +0,976 €4,88 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
246-7545
Nº ref. fabric.:
DMT10H9M9LCT
Fabricante:
DiodesZetex
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

DiodesZetex

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

101A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.014Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

8 V

Disipación de potencia máxima Pd

1.73W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

4.82 mm

Altura

31.24mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

10.66mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

El DiodesZetex crea un MOSFET de modo de mejora de canal N de nueva generación, diseñado para minimizar la resistencia en estado activo (RDS(ON)) manteniendo al mismo tiempo un rendimiento de conmutación rápido, lo que lo convierte en ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia. Es un dispositivo ecológico y totalmente libre de plomo, halógenos y antimonio. Este MOSFET se suministra en encapsulado TO220AB. Ofrece conmutación rápida y alta eficiencia. Su conmutación inductiva 100 % sin abrazadera garantiza una aplicación final más fiable y robusta.

La tensión máxima de drenaje a fuente es de 100 V y la tensión máxima de puerta a fuente es de ±20 V. Ofrece una resistencia de conexión baja Tiene un valor nominal BVDSS alto para aplicaciones de potencia. Ofrece una baja capacitancia de entrada

Enlaces relacionados

Recently viewed