MOSFET, Tipo N-Canal DiodesZetex DMT32M4LPSW-13, VDSS 30 V, ID 100 A, Mejora, PowerDI5060-8 de 8 pines
- Código RS:
- 246-7549
- Nº ref. fabric.:
- DMT32M4LPSW-13
- Fabricante:
- DiodesZetex
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Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 100A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | PowerDI5060-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0028Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 8 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.73W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 6.4mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 5.15 mm | |
| Altura | 1mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 100A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado PowerDI5060-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0028Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 8 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.73W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 6.4mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 5.15 mm | ||
Altura 1mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El DiodesZetex es un MOSFET de modo de mejora de canal N de nueva generación, se ha diseñado para minimizar la resistencia en estado activo (RDS(ON)) y mantener un rendimiento de conmutación superior, lo que lo convierte en ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia. Es un dispositivo ecológico y totalmente libre de plomo, halógenos y antimonio. Este MOSFET se suministra en un encapsulado powerDI5060-8. Ofrece conmutación rápida y alta eficiencia. Su conmutación inductiva 100 % sin abrazadera garantiza una aplicación final más fiable y robusta. Con menos de 1,1 mm de tamaño de encapsulado, es ideal para aplicaciones delgadas.
La tensión máxima de drenaje a fuente es de 40 V y la tensión máxima de puerta a fuente es de ±20 V. Encapsulado térmicamente eficiente ideal para aplicaciones de funcionamiento más frías Ofrece baja capacitancia de entrada
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