MOSFET, Tipo N-Canal Microchip MSC025SMA330B4, VDSS 3300 V, ID 104 A, Mejora, TO-247

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Código RS:
249-4128
Nº ref. fabric.:
MSC025SMA330B4
Fabricante:
Microchip
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Marca

Microchip

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

104A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

3300V

Serie

MSC25SMA330B4

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

8mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.8V

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET SiC-3300V de Microchip forma parte de la familia más reciente de dispositivos SiC MOSFET. Las soluciones SiC de Microchip se centran en un alto rendimiento que ayuda a maximizar la eficiencia del sistema y minimizar el peso y el tamaño del sistema. La probada fiabilidad de SiC de Microchip también garantiza la ausencia de degradación del rendimiento durante la vida útil del equipo final. Este dispositivo es un diodo de cuerpo rápido y fiable con una resistencia a la avalancha superior.

Capacitancias bajas y carga de puerta baja

Velocidad de conmutación rápida gracias a la baja resistencia de retención interna (ESR)

Funcionamiento estable a alta temperatura de unión a 175 grados centígrados

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