MOSFET, N-Canal Infineon IAUZ30N06S5L140ATMA1, VDSS 60 V, ID 30 A, Mejora, PQFN de 8 pines
- Código RS:
- 249-6898
- Nº ref. fabric.:
- IAUZ30N06S5L140ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,15 € | 5,75 € |
| 50 - 120 | 1,012 € | 5,06 € |
| 125 - 245 | 0,946 € | 4,73 € |
| 250 - 495 | 0,886 € | 4,43 € |
| 500 + | 0,816 € | 4,08 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 249-6898
- Nº ref. fabric.:
- IAUZ30N06S5L140ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 30A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | PQFN | |
| Serie | IAUZ | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 14mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 30A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado PQFN | ||
Serie IAUZ | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 14mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de la serie IAUZ de Infineon, tensión de drenaje-fuente máxima de 60 V, corriente de drenaje continua máxima de 30 A - IAUZ30N06S5L140ATMA1
Este MOSFET es un dispositivo de mejora de canal N diseñado para conmutación de alta corriente en conjuntos compactos de montaje en superficie. Funciona en un amplio rango térmico y está fabricado para entornos exigentes donde se requiere una baja pérdida de conducción y un manejo de potencia considerable.
Características y ventajas:
• La Rds(on) de 14 mΩ reduce las pérdidas por conducción para un suministro de potencia eficiente
• La disipación de potencia de 81 W admite un funcionamiento de alta potencia sostenido
• La carga de puerta típica de 80 nC permite una conmutación controlada con energía de accionamiento moderada
• La tolerancia de puerta de 20 V permite el uso con circuitos de accionamiento de puerta de mayor tensión
• El encapsulado PQFN mejora la trayectoria térmica para montajes en superficie
• La disipación de potencia de 81 W admite un funcionamiento de alta potencia sostenido
• La carga de puerta típica de 80 nC permite una conmutación controlada con energía de accionamiento moderada
• La tolerancia de puerta de 20 V permite el uso con circuitos de accionamiento de puerta de mayor tensión
• El encapsulado PQFN mejora la trayectoria térmica para montajes en superficie
Aplicaciones
• Adecuado para circuitos de distribución de potencia de automoción de 60 V
• Ideal para convertidores dc-dc de alta corriente en vehículos
• Se utiliza con etapas de accionamiento de motor en electrónica de automoción
• Se puede utilizar para fuentes de alimentación de modo conmutado que requieren un montaje compacto
• Apto para electrónica de control de alta temperatura en entornos exigentes
• Ideal para convertidores dc-dc de alta corriente en vehículos
• Se utiliza con etapas de accionamiento de motor en electrónica de automoción
• Se puede utilizar para fuentes de alimentación de modo conmutado que requieren un montaje compacto
• Apto para electrónica de control de alta temperatura en entornos exigentes
¿Qué rango de temperatura puede soportar en funcionamiento?
Está diseñado para funcionar a temperaturas de –55 a 175 °C.
¿Cómo admite el encapsulado la gestión térmica?
La forma PQFN proporciona una ruta térmica directa a la PCB para mejorar la transferencia de calor.
¿Qué consideraciones de accionamiento de puerta se aplican a la conmutación?
Espera una carga de puerta típica de 80 nC a la tensión de puerta especificada, lo que requiere un controlador capaz de generar esa carga para transiciones rápidas.
¿Qué método de montaje está previsto para la instalación?
Está diseñado para colocación de montaje en superficie en conjuntos de placas de circuito impreso.