MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 0.3 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:
250-0548
Nº ref. fabric.:
BSS159NH6906XTSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

0.3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SOT-23

Serie

BSS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Tensión directa Vf

1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

Infineon hace que el transistor MOSFET de señal pequeña de modo de agotamiento de canal N se utilice ampliamente en aplicaciones de conmutación alta. Tiene un nivel de avalancha y no contiene halógenos. Se trata de un transistor de señal pequeña SIPMOS. Tiene un valor nominal dv /dt, disponible con indicador V GS(th) en el carrete. Es 100 % sin plomo; Sin halógenos.

VDS es de 60 V, RDS(on), máx. 8 Ω e IDSS, mín. 0,13 A

La disipación de potencia máxima es de 360 mW

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