MOSFET Infineon BSS159NH6906XTSA1, VDSS 60 V, ID 300 mA, SOT-23 de 3 pines

Infineon hace que el transistor MOSFET de señal pequeña de modo de agotamiento de canal N se utilice ampliamente en aplicaciones de conmutación alta. Tiene un nivel de avalancha y no contiene halógenos. Se trata de un transistor de señal pequeña SIPMOS. Tiene un valor nominal dv /dt, disponible con indicador V GS(th) en el carrete. Es 100 % sin plomo

VDS es de 60 V, RDS(on), máx. 8 Ω e IDSS, mín. 0,13 A
La disipación de potencia máxima es de 360 mW