MOSFET Nexperia PSMN1R2-55SLHAX, VDSS 55 V, ID 330 A, LFPAK88 de 4 pines

El MOSFET de modo de mejora de canal N de 330 amperios de corriente continua y accionamiento de puerta de nivel lógico en un encapsulado LFPAK88 de 175 °C. Forma parte de la familia de ASFETs para el aislamiento de baterías y el control de motores de corriente continua y utiliza la tecnología "SchottkyPlus" exclusiva de Nexperia, que ofrece un alto rendimiento y un bajo nivel de picos de corriente, normalmente asociados a los MOSFETs con un diodo Schottky o similar a Schottky integrado, pero sin la problemática corriente de fuga elevada.

Conexión de pinza de cobre y matriz de soldadura para baja inductancia y resistencia del encapsulado, y alta calificación ID (máx.)
Certificado hasta 175 °C
Clasificado para avalancha, probado al 100 %
QG, QGD y QOSS bajos para una alta eficiencia, especialmente a frecuencias de conmutación más altas
Conmutación ultrarrápida con recuperación suave del cuerpo del diodo para un bajo nivel de picos y anillos, recomendado para diseños de baja EMI
VGS(th) estrecho para facilitar la conexión en paralelo y mejorar el reparto de la corriente
Características de modo lineal/área de operación segura muy fuertes para una conmutación segura y fiable en condiciones de alta corriente