MOSFET Vishay, Tipo N-Canal, VDSS 40 V, ID 159 A, PowerPAIR 6 x 5FS de 8 pines, 2, config. Doble canal N simétrico

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*

3.174,00 €

(exc. IVA)

3.840,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 3000 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
3000 +1,058 €3.174,00 €

*precio indicativo

Código RS:
252-0296
Nº ref. fabric.:
SIZF640DT-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

159A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

PowerPAIR 6 x 5FS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.00137Ω

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

62.5W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

30nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Doble canal N simétrico

Certificaciones y estándares

No

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

La línea de productos de MOSFET Vishay Siliconix incluye una amplia gama de tecnologías avanzadas. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El efecto de campo significa que están controlados por tensión. Los MOSFET de canal N contienen electrones adicionales que pueden moverse libremente. Son un tipo de canal más popular. Los MOSFET de canal N funcionan cuando se aplica una carga positiva al terminal de puerta.

MOSFET de potencia TrenchFET Gen IV

100 % comprobación Rg y UIS

Canal N doble simétrico

Tecnología flip chip de diseño térmico óptimo

MOSFET de lado alto y lado bajo de forma optimizada

Combinación para un ciclo de trabajo del 50 %RDS

Enlaces relacionados