MOSFET Vishay, Tipo N-Canal SIZF640DT-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 159 A, PowerPAIR 6 x 5FS de 8 pines, 2, config. Doble canal
- Código RS:
- 252-0298
- Nº ref. fabric.:
- SIZF640DT-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 3,48 € | 17,40 € |
| 25 - 45 | 3,274 € | 16,37 € |
| 50 - 120 | 2,96 € | 14,80 € |
| 125 - 245 | 2,784 € | 13,92 € |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 252-0298
- Nº ref. fabric.:
- SIZF640DT-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 159A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | PowerPAIR 6 x 5FS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.00137Ω | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 30nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 62.5W | |
| Configuración de transistor | Doble canal N simétrico | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 159A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado PowerPAIR 6 x 5FS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.00137Ω | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 30nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 62.5W | ||
Configuración de transistor Doble canal N simétrico | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
La línea de productos de MOSFET Vishay Siliconix incluye una amplia gama de tecnologías avanzadas. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El efecto de campo significa que están controlados por tensión. Los MOSFET de canal N contienen electrones adicionales que pueden moverse libremente. Son un tipo de canal más popular. Los MOSFET de canal N funcionan cuando se aplica una carga positiva al terminal de puerta.
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