MOSFET Vishay, Tipo N-Canal SIZF640DT-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 159 A, PowerPAIR 6 x 5FS de 8 pines, 2, config. Doble canal

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
252-0298
Nº ref. fabric.:
SIZF640DT-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

159A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

PowerPAIR 6 x 5FS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.00137Ω

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

62.5W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

30nC

Configuración de transistor

Doble canal N simétrico

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

La línea de productos de MOSFET Vishay Siliconix incluye una amplia gama de tecnologías avanzadas. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El efecto de campo significa que están controlados por tensión. Los MOSFET de canal N contienen electrones adicionales que pueden moverse libremente. Son un tipo de canal más popular. Los MOSFET de canal N funcionan cuando se aplica una carga positiva al terminal de puerta.

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