MOSFET, Tipo N-Canal Vishay IRL640PBF, VDSS 200 V, ID 17 A, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 256-7327
- Número de artículo Distrelec:
- 304-40-860
- Nº ref. fabric.:
- IRL640PBF
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 5 unidades)*
9,41 €
(exc. IVA)
11,385 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 915 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 1,882 € | 9,41 € |
| 10 - 20 | 1,686 € | 8,43 € |
| 25 - 95 | 1,652 € | 8,26 € |
| 100 - 495 | 1,362 € | 6,81 € |
| 500 + | 1,092 € | 5,46 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 256-7327
- Número de artículo Distrelec:
- 304-40-860
- Nº ref. fabric.:
- IRL640PBF
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 17A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.028Ω | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±10 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 66nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 125W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 4.65mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 17A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.028Ω | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±10 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 66nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 125W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 4.65mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El mosfet de potencia de tercera generación de Vishay Semiconductor proporciona al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto, baja resistencia de conexión y rentabilidad. El encapsulado TO-220AB se prefiere universalmente para todas las aplicaciones comerciales e industriales con niveles de disipación de potencia de aproximadamente 50 W. La baja resistencia térmica y el bajo coste del encapsulado del TO-220AB contribuyen a su amplia aceptación en toda la industria.
Valor nominal dinámico dV/dt
Valor nominal de avalancha repetitiva
Unidad de puerta de nivel lógico
Conmutación rápida
Fácil de paralelizar
Requisitos de accionamiento sencillos
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 200 V TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 100 V TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 100 V TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 200 V TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 200 V TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 200 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 200 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 200 V Mejora, TO-220 de 3 pines